這是一本給集成電路科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、新一代電子信息技術(shù)、人工智能等硬件專業(yè)學(xué)生使用的教材和研究人員使用的參考書(shū)。 本書(shū)首先從硬件層面分兩章"憶阻突觸"和"憶阻神經(jīng)元"系統(tǒng)講解基于憶阻器的仿生突觸與神經(jīng)元，重點(diǎn)分析不同種類的憶阻材料用作突觸和神經(jīng)元時(shí)依據(jù)的物理機(jī)制，以及在實(shí)際應(yīng)用中面臨的主

本書(shū)是一部實(shí)驗(yàn)室模擬多脈沖雷擊作用下ZnO壓敏電阻電流熱效應(yīng)的專著。書(shū)中全面闡述了多脈沖雷電沖擊測(cè)試平臺(tái)搭建原理和設(shè)計(jì)過(guò)程，從宏觀損壞和微觀損壞特性兩個(gè)方面研究了多脈沖下ZnO壓敏電阻的熱損壞特性及損壞機(jī)理。根據(jù)多脈沖下ZnO壓敏電阻沖擊實(shí)驗(yàn)和模擬結(jié)果，提出ZnO壓敏電阻內(nèi)部結(jié)構(gòu)改進(jìn)方法，提高耐受沖擊能力，同時(shí)根據(jù)熱效

憶阻器是一種新型使能器件，它具備作為存儲(chǔ)器件的優(yōu)異特性，并具有融合計(jì)算和存儲(chǔ)的能力。本書(shū)從憶阻器所具有的融合計(jì)算和存儲(chǔ)的特性出發(fā)，研究面向關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)的存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。全書(shū)按自頂向下的邏輯展開(kāi)，首先介紹“數(shù)據(jù)Home自治”模型，以及面向關(guān)系數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)Home自治存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)；其次闡述基于憶阻器存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)的比較邏輯設(shè)計(jì)和實(shí)

電子元器件的選擇與應(yīng)用