《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等，并詳細(xì)介紹了測試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學(xué)方法、動力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進行了詳細(xì)論述。

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實驗基礎(chǔ)。

本書根據(jù)國內(nèi)外近十幾年來氧化物半導(dǎo)體TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)特性的研究進展，結(jié)合作者的研究成果撰寫而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術(shù)方法，通過對TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調(diào)控，進而實現(xiàn)對光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的調(diào)制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強拉曼光譜性能。本

本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護的相關(guān)知識，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設(shè)備，主要包括上板機、印刷機、SPI設(shè)備、雙軌平移機、貼片機、AOI設(shè)備、緩存機、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對SMT生產(chǎn)線的運行管理做了介紹。本書內(nèi)容豐富實用，講解

本書系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對最新的薄膜類型、性能檢測及評價、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評價等。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實踐性強，在強化理論的同時，重點突出了工程應(yīng)用，具有很強的實用性，

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導(dǎo)體硅及集成電路的有關(guān)知識，并著重對滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計要求進行了全面系統(tǒng)的論述。書中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導(dǎo)體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機理及其相關(guān)理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團隊提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團隊提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導(dǎo)體體系，在信息、能源、交通、先進制造、國防軍工等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值。本書系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運特性的角度進行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運

本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及