本書從LED芯片制作、LED封裝和LED應用等方面介紹了LED的基本概念與相關技術，詳細講解了LED封裝過程中和開發(fā)應用產(chǎn)品時應該注意的一些技術問題，并以引腳式LED封裝為基礎，進一步介紹了平面發(fā)光式、SMD、大功率LED的三種不同封裝形式及其相應的產(chǎn)品在實際生產(chǎn)中的操作技術。本書還討論了LED在不同領域的應用技術，最

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術設備的工作原理和低維異質(zhì)結構的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結構的外延生長機理及其相關理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結構可控生長理論和硅鍺低

表面組裝技術（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術。本書以表面組裝技術（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術，主要內(nèi)容包括表面組裝技術概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

光刻機像質(zhì)檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

光刻機像質(zhì)檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導體體系，在信息、能源、交通、先進制造、國防軍工等領域具有重大應用價值。本書系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O

《非晶Ge基磁性半導體的磁性和電輸運研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結，從磁特性和電輸運特性的角度進行了研究。《非晶Ge基磁性半導體的磁性和電輸運

本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設備及關鍵工藝的基礎上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設置、熱系統(tǒng)設計與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結合變量檢測、智能優(yōu)化及

本書對復雜的半導體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問題從理論到方法再到應用,進行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅動的半導體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預處理的方法、半導體生產(chǎn)線性能指標相關性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機制的動態(tài)派工規(guī)則、基于負載均衡的半導體生產(chǎn)線的動態(tài)調(diào)度和性能指標驅動的半導體生產(chǎn)線動態(tài)調(diào)度方法、大

有機光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個行業(yè)都有重要的應用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術競爭的重要陣地。本書重點介紹了有機光功能材料及其在激光器件方面的應用，從光功能材料的發(fā)光機理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎理論出發(fā)，討論有機微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應用。

本書以作者及其研究團隊多年的研究成果為基礎，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應用，內(nèi)容集學術性與實用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導體光子學的物理基礎，低維半導體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學性質(zhì)和納米尺度光學表征與應用，以及基于低維半導體材料或結構的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學器件等，最后介紹了基于低維半導體結構集成光子器件與技術。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎，在消費電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國防軍工等領域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究價值和應用前景。圍繞SiC功率器件的基礎研究和前沿應用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，分析了器件的電-熱性能表征方

本書針對太陽能LED照明的工作原理，運行方式，分類以及對太陽能光伏照明系統(tǒng)的各個組成部件（太陽電池，蓄電池，控制器，LED燈具）做了詳細的介紹，在此基礎上重點分析了太陽能LED照明系統(tǒng)的系統(tǒng)設計和整體優(yōu)化，并分析太陽能LED照明系統(tǒng)的安裝設計注意的事項。本書適合從事太陽能光伏應用和LED照明設計的研究人員學習使用，也可

有機熱電是有機電子學和能源領域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發(fā)展。作為快速起步的新興研究方向，有機熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉換過程、機制、功能與應用，系統(tǒng)闡述有機熱電領域的發(fā)展機遇、現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)，對推動該領域的快速發(fā)展具有重要學術價值。本書根據(jù)該領域的特點和自身發(fā)展

《信息功能器件》論述了從材料效應到功能器件的邏輯關系，系統(tǒng)地闡述了信息功能材料的基本效應、材料特性以及信息功能器件的原理、結構及應用。全書共9章，第1章介紹信息功能材料和信息功能器件，信息功能器件的研究內(nèi)容以及信息功能材料和器件的發(fā)展態(tài)勢；第2章講解摻雜半導體材料和器件的基礎知識；第3章到第9章依次講述摻雜半導體材料的

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點，闡述寬禁帶電力電子器件的驅動電路設計挑戰(zhàn)、原理與設計方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書為新能源類專業(yè)教學資源庫建設配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理及生產(chǎn)過程，內(nèi)容包括三氯氫硅的合成、精餾提純，三氯氫硅氫還原制備高純硅，尾氣干法回收，硅芯的制備等核心內(nèi)容，同時對氣體的制備與凈化、四氯化硅的綜合利用與處理、純水的制備做了詳細介紹。本書緊密結合生產(chǎn)實踐，注重理論與實踐的有機結合。書

本書根據(jù)作者從事半導體材料研究所積累的理論知識、工作經(jīng)驗和技術資料，在查閱了大量的書籍和文獻資料的基礎上，將與半導體材料專業(yè)技術相關的知識要點提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關內(nèi)容分成6個部分，即半導體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測量和半導體工藝基礎技術。其中半導體材料物理性能被劃分為三大類12個方

名師講科技前沿系列是作者在清華大學長期授課教案的歸納和擴展�！秷D解OLED顯示技術》是其中的一個分冊，內(nèi)容包括OLED發(fā)展簡介、OLED如何實現(xiàn)發(fā)光和顯示、如何提高OLED的發(fā)光效率、OLED的結構和材料、OLED是如何制造的、OLED的現(xiàn)狀和未來等，涉及OLED的方方面面。針對OLED的入門者、制作者、研究開發(fā)者等多