隨著集成電路（IC）制造工藝的不斷發(fā)展以及芯片復(fù)雜度的不斷提升，IC的靜電放電（ESD）防護(hù)需求日益增長(zhǎng)，設(shè)計(jì)難度越來(lái)越大。各章知識(shí)點(diǎn)之間環(huán)環(huán)相扣，且輔以詳細(xì)的實(shí)例和分析，既便于讀者從理論上融會(huì)貫通，也易于讓讀者學(xué)以致用�！都�成電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)理論、方法與實(shí)踐》內(nèi)容由淺入深，涵蓋了ESD防護(hù)設(shè)計(jì)初學(xué)者需要掌握的入門(mén)知

《微電子封裝超聲鍵合機(jī)理與技術(shù)》是中南大學(xué)微納制造中心關(guān)于超聲鍵合技術(shù)的近年來(lái)研究的總結(jié)。作為緒論的第一章，介紹了超聲鍵合在封裝互連中的地位、研究現(xiàn)狀、存在問(wèn)題；第二至第五章敘述了換能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原則、仿真手段和實(shí)際使用中的特性測(cè)試方法；第六至第八章是課題組在超聲鍵合微觀實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象以及機(jī)理的科學(xué)認(rèn)識(shí)和推斷；第十至第十一章是

《納米級(jí)CMOS超大規(guī)模集成電路可制造性設(shè)計(jì)》共分8章，內(nèi)容包括當(dāng)前CMOSVLSI設(shè)計(jì)的技術(shù)趨勢(shì)，半導(dǎo)體制造的前期技術(shù)，當(dāng)前和未來(lái)CMOS器件中的工藝參數(shù)偏差及其影響，通過(guò)版圖分析實(shí)現(xiàn)光刻控制的基本原理及重要的光刻參數(shù)和概念，半導(dǎo)體制造中出現(xiàn)的多種制造缺陷，粒子缺陷和基于圖形的缺陷對(duì)電路工作性能的影響，可靠性問(wèn)題的表

本書(shū)主要講述微電子器件和集成電路的基礎(chǔ)理論，內(nèi)容包括：微電子器件物理基礎(chǔ)，PN結(jié)，雙極型晶體管及MOSFET結(jié)構(gòu)、工作原理和特性，JFET及MESFET概要，集成電路基本概念及集成電路設(shè)計(jì)方法，共計(jì)7章。本書(shū)可作為高等院校通信、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化、光電等專(zhuān)業(yè)本科生學(xué)習(xí)微電子及IC方面知識(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)課教材，也可作為電子科學(xué)與

本書(shū)針對(duì)目前初學(xué)者使用廣泛的Protel99SE軟件，通過(guò)完整案例貫穿實(shí)際工作流程，簡(jiǎn)要地介紹了印制電路設(shè)計(jì)的方法和技巧，重點(diǎn)分析了各個(gè)設(shè)計(jì)階段的疑難問(wèn)題。采用圖文結(jié)合的方式，清晰地分析并解決了常見(jiàn)問(wèn)題。本書(shū)的第1章簡(jiǎn)要介紹了印制電路設(shè)計(jì)的流程，給讀者一個(gè)總體印象；第2～6章，按照項(xiàng)目設(shè)計(jì)流程組織內(nèi)容，滿(mǎn)足初學(xué)者按階段

“中國(guó)學(xué)科發(fā)展戰(zhàn)略”叢書(shū)由以院士為主體、眾多專(zhuān)家參與的學(xué)科發(fā)展戰(zhàn)略研究組經(jīng)過(guò)深入調(diào)查和廣泛研討共同完成，涉及自然科學(xué)各學(xué)科領(lǐng)域�！吨袊�(guó)學(xué)科發(fā)展戰(zhàn)略·微納電子學(xué)》包含微納電子學(xué)科/產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史及規(guī)律、納米低功耗集成電路新器件新結(jié)構(gòu)及其機(jī)制、lC/SoC設(shè)計(jì)及EDA技術(shù)、納米集成電路與系統(tǒng)芯片制造技術(shù)、SiP及其測(cè)試、化

微電子技術(shù)的可靠性——互連、器件及系統(tǒng)

本書(shū)以AltiumDesigner10為平臺(tái)，介紹了電路設(shè)計(jì)的基本方法和技巧。全書(shū)共11章，內(nèi)容包括AltiumDesigner10概述、原理圖設(shè)計(jì)、原理圖的后續(xù)處理、層次化原理圖設(shè)計(jì)、印制電路板設(shè)計(jì)、電路板的后期處理、創(chuàng)建元件庫(kù)及元件封裝、信號(hào)完整性分析、電路仿真系統(tǒng)和可編程邏輯器件設(shè)計(jì)等知識(shí)。另外還介紹了兩個(gè)綜合實(shí)

本書(shū)按照集成電路設(shè)計(jì)的思想和流程安排章節(jié)，總共7章。第1章主要講述集成電路的現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)以及EDA技術(shù)的發(fā)展概況，第2章為大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)方法，第3章講述集成電路的SPICE模擬技術(shù)，第4章介紹半導(dǎo)體器件的模型，第5章詳細(xì)講述硬件描述語(yǔ)言VerilogHDL，第6章介紹邏輯綜合技術(shù)，第7章介紹集成電路版圖技術(shù)。本

余寧梅、楊媛、潘銀松編著的《半導(dǎo)體集成電路》在簡(jiǎn)述了集成電路的基本概念、發(fā)展和面臨的主要問(wèn)題后，首先介紹了半導(dǎo)體集成電路的主要制造工藝、基本元器件的結(jié)構(gòu)和工作原理；然后重點(diǎn)討論了數(shù)字集成電路中的組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路、存儲(chǔ)器、邏輯功能部件；最后介紹了模擬集成電路中的關(guān)鍵電路和數(shù)一模、模一數(shù)轉(zhuǎn)換電路。 《半導(dǎo)體集成

《模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)（第2版）》以電路為軸線，從基礎(chǔ)到復(fù)雜，從純粹的模擬集成電路到數(shù)�；旌闲盘�(hào)集成電路，重點(diǎn)介紹模擬集成電路和數(shù)模混合信號(hào)集成電路中基本電路的概念、工作原理、電路分析和設(shè)計(jì)。全書(shū)共10章：第1章介紹在系統(tǒng)集成時(shí)代的模擬集成電路；第2章介紹模擬集成電路中的器件，包括雙極型晶體管、MOS管、集成電阻、集

《超大規(guī)模集成電路：基礎(chǔ)·設(shè)計(jì)·制造工藝》共分為上下兩篇，上篇為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)篇，主要介紹VLSI的特征及作用、VLSI的設(shè)計(jì)、邏輯電路、邏輯VLSI、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、模擬VLSI、VLSI的設(shè)計(jì)法與構(gòu)成法、VLSI的實(shí)驗(yàn)等；下篇為制造工藝篇，主要介紹集成工藝、平板印刷、刻蝕、氧化、不純物導(dǎo)入、絕緣膜堆積、電極與配線等。