本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷卻技術(shù)和散熱器設(shè)計進行了介紹。然后，考慮到功率器件的質(zhì)量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態(tài)熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最后，就計

本書對半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設(shè)計、混沌信號分析、隨機數(shù)提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機數(shù)發(fā)生器設(shè)計及產(chǎn)生真隨機數(shù)的評估。

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門類讀物。全書共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的初學(xué)者閱讀，也可以作為相關(guān)企事業(yè)單位人員的科普讀物。

暫無

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（撓*電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）在靜態(tài)加載、失穩(wěn)、振動時的變形及載流子分布等。作為該理論模型的應(yīng)用，研究了壓電半導(dǎo)體材料的變形傳感及機械力對電子電路中電流的調(diào)控。

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術(shù)。

本書基于當前半導(dǎo)體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補償批間控制算法、基于T-S模糊模型的批間控制算法。第8～11章介紹半導(dǎo)體制造過程的性能和過程監(jiān)控方法，包括：設(shè)計模型評價指標進行建模質(zhì)量評估；提

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學(xué)方法、動力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)體材料的位移損傷機理和規(guī)律，在核技術(shù)和輻射物理學(xué)科的發(fā)展、位移損傷效應(yīng)研究、人才培養(yǎng)等方面具有重要的學(xué)術(shù)意義和應(yīng)用價值。

本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與金屬柵、場效應(yīng)晶體管器件、薄膜晶體管器件、存儲器件及神經(jīng)形態(tài)器件等。本書包含柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)，同時突出了柵介質(zhì)材料在器件應(yīng)用中的先進性和前沿性，反映了后摩爾時代器件集成的*