本書系統(tǒng)介紹了人工晶體生長的基礎理論和相圖技術(shù)，在此基礎上全面介紹了人工晶體生長主流技術(shù)如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等，詳細介紹了上述人工晶體生長技術(shù)的基本原理、設備設計與構(gòu)造、生長工藝以及它們的優(yōu)缺點等。同時，作者結(jié)合自身多年科研工作成果積累，選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長技術(shù)

傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時，受時代限制，缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結(jié)構(gòu)演化的實驗基礎，難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長機理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測技術(shù)，從微觀尺度上，原位實時觀測晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時，

本書主要介紹了晶體生長技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計算流體力學數(shù)值模擬和實驗研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運、化學反應等方面闡明了晶體生長技術(shù)的要點和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書也詳細介紹了分子動力學和第一性原理的研究策略，并應用于晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書分4篇探討晶體生長的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關(guān)原理進行論述。第二篇為晶體生長的技術(shù)基礎，分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對流)、化學基礎問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(電、磁、力的作用原理)

晶體生長科學與技術(shù)(第二版）（上冊