陳家榮著的《硅納米晶發(fā)光增強(qiáng)研究》為學(xué)術(shù)著作，圍繞制備和表征硅納米晶的方法展開研究。研究了硅納米晶電致發(fā)光的機(jī)理，得出其發(fā)光機(jī)理與小尺寸的硅納米晶有關(guān)；研究了界面效應(yīng)對硅納米晶發(fā)光的影響，為提高硅納米晶的發(fā)光強(qiáng)度提供了理論依據(jù)。然后從硅納米晶的發(fā)光機(jī)理出發(fā)，研究了場效應(yīng)和表面等離子體兩種方法如何提高硅納米晶的電致發(fā)光強(qiáng)度。由于采用反應(yīng)蒸發(fā)方法制備的硅納米晶的密度相對較低，不利于硅納米晶的發(fā)光增強(qiáng)，因此，本書還初步研究了量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的制備方法及其發(fā)光譜。
1緒論
1.1研究背景
1.2硅納米晶發(fā)光的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展
1.3實(shí)驗(yàn)設(shè)備及其技術(shù)
1.4本研究的工作目標(biāo)
1.5本書安排及取得的主要成就
參考文獻(xiàn)
2硅納米晶的制備及其電致發(fā)光機(jī)理研究
2.1硅納米晶的制備
2.2硅納米晶的結(jié)構(gòu)特性和光學(xué)特性的表征
2.3硅納米晶的電致發(fā)光機(jī)理研究
2.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
3界面效應(yīng)對硅納米晶發(fā)光的影響
3.1不同基體材料樣品的制備
3.2硅納米晶的發(fā)光光譜
3.3界面效應(yīng)對硅納米晶發(fā)光的影響
3.4其他因素對硅納米晶電致發(fā)光強(qiáng)度的影響
3.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
4場效應(yīng)在硅納米晶電致發(fā)光中的增強(qiáng)研究
4.1樣品的制備
4.2界面電場的驗(yàn)證
4.3場效應(yīng)層厚度的優(yōu)化
4.4樣品的光致發(fā)光和電致發(fā)光強(qiáng)度
4.5場效應(yīng)對硅納米晶電致發(fā)光強(qiáng)度的增強(qiáng)研究
4.6本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
5表面等離子體在硅納米晶發(fā)光中的增強(qiáng)研究
5.1表面等離子體(surfacePlasmons)
5.2樣品的制備
5.3表面等離子體的表征
5.4表面等離子體對硅納米晶發(fā)光的增強(qiáng)研究
5.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
6量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的制備及其發(fā)光研究
6.1量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的制備方法
6.2量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)表征
6.3量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的光致發(fā)光及電致發(fā)光研究
6.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
7硅納米晶光學(xué)增益的增強(qiáng)研究
7.1硅納米晶光學(xué)增益的測試方法與模擬計(jì)算
7.2樣品的制備
7.3H鈍化與Ce3 摻雜對硅納米晶光增益的增強(qiáng)研究
7.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
8總結(jié)與展望
8.1內(nèi)容總結(jié)
8.2展望
附錄
附錄1實(shí)驗(yàn)試劑列表
附錄2硅納米晶形成的微觀過程
附錄3增強(qiáng)硅納米晶光致發(fā)光的方法
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