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集成電路延續(xù)工藝線寬持續(xù)縮小和功能密度持續(xù)提升的發(fā)展方向面臨著許多難以逾越的障礙，3D集成技術(shù)是突破平面集成電路發(fā)展屏障的有效途徑。過去的幾年里，在學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的共同努力下，3D集成技術(shù)得以成功面世。目前，3D 集成按照應用領(lǐng)域可劃分為不同的種類，每種技術(shù)都有望成為未來可行的技術(shù)方案。在本書出版之時，基于TSV 垂直互連的商業(yè)立體集成芯片已經(jīng)問世。
撰寫一本3D集成技術(shù)書籍的想法可追溯至一年前，當時與3D集成技術(shù)相關(guān)的文章及會議大量涌現(xiàn)（現(xiàn)在也很多）。但是，在這一新興領(lǐng)域卻缺乏相關(guān)的參考書籍。起初的想法是撰寫一本書，但是我們很快意識到這是一項艱巨的任務，想在一本書中將不同類型的3D集成技術(shù)都闡述清楚將是一大挑戰(zhàn)。經(jīng)過重新審視，我們決定編譯一本包含各大學、研究實驗室和產(chǎn)業(yè)界專家的研究成果的書代替原有撰寫計劃。在仔細規(guī)劃后，我們邀請了一支高水平的研究團隊來撰寫此書的各個章節(jié)，從計劃出書，到撰寫、編輯，再到付梓出版歷時整整一年。
本書寫作目的是想將前封裝的晶圓級3D集成技術(shù)的新穎理念呈現(xiàn)給讀者，主要內(nèi)容聚焦于3D集成工藝技術(shù)，內(nèi)容涵蓋前端工藝至后端工藝。書中對每一關(guān)鍵工藝都進行了詳細的介紹，列舉了相關(guān)工藝的潛在應用，并指出這些關(guān)鍵工藝中存在的技術(shù)挑戰(zhàn)。本書適用于正在從事或準備從事3D集成技術(shù)領(lǐng)域的研究者或工程師。如果沒有一支高水平且具備奉獻精神的工作團隊，這本書是無法完成的。本書要特別感謝施普林格（Springer）出版社Carl Harris的大力支持，以及前期為本書所做的工作。感謝叢書編輯Anantha Chandrakasan對本書內(nèi)容提出的寶貴建議。感謝與我們一道工作的Katie Stanne對書稿的編輯工作。感謝MARCO 和DARPA 聯(lián)合資助的互連研究中心（Interconnect Focus Center，IFC）和DARPA資助的3D IC 計劃對三位聯(lián)合作者的長期支持，沒有他們的支持，3D集成技術(shù)研究及本書的編寫都無法順利實現(xiàn)。C. S. Tan早先受到SRC和應用材料研究生獎學金的部分資助，目前在南洋理工受到Lee Kuan Yew博士后獎學金資助。最后，對受邀撰寫此書各個章節(jié)的所有作者表示衷心的感謝。
希望本書能對從事3D集成技術(shù)相關(guān)研究的廣大讀者提供切實的幫助，如果您對本書有任何意見和建議，請及時聯(lián)系我們。

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