第1章太陽輻射與光伏電池簡況1
1.1太陽輻射的物理來源1
1.2太陽常數(shù)與大氣質(zhì)量2
1.3大氣層對(duì)太陽輻射的影響3
1.4大氣透明度*（選修）6
1.5到達(dá)水平地面的太陽輻照度計(jì)算*（選修）7
1.6天球坐標(biāo)系*（選修）7
1.6.1地平坐標(biāo)系8
1.6.2時(shí)角坐標(biāo)系8
1.6.3中天9
1.7太陽的視運(yùn)動(dòng)9
1.8日照數(shù)據(jù)9
1.9中國太陽能分布10
1.10光伏電池發(fā)展概況12
1.10.1晶硅光伏電池13
1.10.2薄膜光伏電池14
1.10.3新型光伏電池14
習(xí)題15
參考文獻(xiàn)16

第2章半導(dǎo)體硅的電子態(tài)17
2.1單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)與晶體結(jié)合17
2.2晶體的電子狀態(tài)與能帶結(jié)構(gòu)19
2.2.1原子的能級(jí)和晶體的能帶19
2.2.2半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶21
2.2.3導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶24
2.3電子有效質(zhì)量26
2.3.1半導(dǎo)體中E（k）與k的關(guān)系26
2.3.2半導(dǎo)體中電子的平均速度27
2.3.3半導(dǎo)體中電子的加速度27
2.3.4有效質(zhì)量的意義28
2.4本征半導(dǎo)體及空穴的概念29
2.5回旋共振實(shí)驗(yàn)*（選修）31
2.5.1k空間等能面32
2.5.2回旋共振33
2.6單晶硅的能帶結(jié)構(gòu)*（選修）35
2.6.1導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)35
2.6.2硅的價(jià)帶結(jié)構(gòu)37
習(xí)題39
參考文獻(xiàn)39

第3章雜質(zhì)與缺陷40
3.1單晶硅的雜質(zhì)能級(jí)40
3.2單晶硅的摻雜劑41
3.2.1施主雜質(zhì)和施主能級(jí)41
3.2.2受主雜質(zhì)和受主能級(jí)42
3.2.3淺能級(jí)雜質(zhì)電離能的簡單計(jì)算43
3.2.4深能級(jí)雜質(zhì)44
3.3雜質(zhì)的補(bǔ)償45
3.4單晶硅中的缺陷46
3.4.1空位和間隙原子47
3.4.2位錯(cuò)47
3.4.3晶粒間界48
3.5太陽能級(jí)單晶硅材料49
習(xí)題50
參考文獻(xiàn)50

第4章載流子濃度與導(dǎo)電性51
4.1狀態(tài)密度51
4.1.1k空間中量子態(tài)的分布52
4.1.2狀態(tài)密度52
4.2費(fèi)米能級(jí)與載流子的統(tǒng)計(jì)分布54
4.2.1費(fèi)米分布函數(shù)54
4.2.2玻爾茲曼分布函數(shù)55
4.2.3導(dǎo)帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度56
4.2.4載流子濃度乘積n0p059
4.3本征載流子濃度60
4.4摻雜半導(dǎo)體的載流子濃度61
4.4.1雜質(zhì)能級(jí)上的電子和空穴61
4.4.2n型半導(dǎo)體的載流子濃度63
4.4.3p型半導(dǎo)體的載流子濃度67
4.4.4少數(shù)載流子濃度70
4.4.5一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布70
4.5載流子的散射72
4.5.1載流子散射的概念72
4.5.2半導(dǎo)體的主要散射機(jī)構(gòu)72
4.6載流子的漂移78
4.6.1漂移運(yùn)動(dòng)和遷移率78
4.6.2平均自由時(shí)間和散射概率的關(guān)系81
4.6.3遷移率與平均自由時(shí)間的關(guān)系81
4.6.4遷移率與雜質(zhì)和溫度的關(guān)系82
4.7雜質(zhì)能級(jí)的電子占據(jù)概率*（選修）85
4.7.1電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)概率的討論85
4.7.2求解統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)86
習(xí)題88
參考文獻(xiàn)88

第5章載流子的產(chǎn)生和復(fù)合89
5.1非平衡載流子的注入方式和復(fù)合概念89
5.2非平衡載流子的壽命90
5.3準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)91
5.4載流子的產(chǎn)生機(jī)制92
5.4.1吸收系數(shù)92
5.4.2直接帶隙半導(dǎo)體的吸收94
5.4.3間接帶隙半導(dǎo)體的吸收95
5.4.4其他吸收過程96
5.5載流子的復(fù)合機(jī)制97
5.5.1直接復(fù)合97
5.5.2間接復(fù)合99
5.5.3表面復(fù)合103
5.5.4俄歇復(fù)合104
5.5.5陷阱效應(yīng)106
5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、愛因斯坦關(guān)系式108
5.6.1載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)108
5.6.2愛因斯坦關(guān)系式111
5.7半導(dǎo)體器件物理學(xué)基本方程113
5.7.1泊松方程113
5.7.2電流密度方程114
5.7.3連續(xù)性方程114
5.7.4基本方程組115
習(xí)題115
參考文獻(xiàn)116

第6章pn結(jié)117
6.1pn結(jié)的制備與雜質(zhì)分布117
6.1.1合金法117
6.1.2擴(kuò)散法118
6.2pn結(jié)靜電學(xué)118
6.2.1空間電荷區(qū)與能帶圖118
6.2.2pn結(jié)接觸電勢差120
6.2.3pn結(jié)載流子濃度分布121
6.2.4勢壘區(qū)特性123
6.3pn結(jié)的I-V特性128
6.3.1非平衡狀態(tài)下的pn結(jié)128
6.3.2理想pn結(jié)模型及電流電壓方程130
6.3.3影響理想I-V曲線的各種因子133
6.4pn結(jié)電容138
6.4.1pn結(jié)電容的來源138
6.4.2突變結(jié)的勢壘電容139
6.4.3線性緩變結(jié)的勢壘電容140
6.4.4擴(kuò)散電容141
6.5pn結(jié)擊穿142
6.5.1雪崩擊穿142
6.5.2隧道擊穿（齊納擊穿）142
6.5.3熱電擊穿144
習(xí)題144
參考文獻(xiàn)145

第7章光伏電池特性與效率146
7.1光伏電池的光照特性146
7.2光伏電池的輸出參數(shù)147
7.3光電轉(zhuǎn)換效率的影響因子148
7.3.1影響Isc的因子148
7.3.2Voc與η的關(guān)系149
7.3.3溫度的影響150
7.4有限尺寸光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率151
7.4.1有限尺寸對(duì)飽和電流Is的影響151
7.4.2短路電流的損失152
7.4.3開路電壓的損失152
7.4.4填充因子的損失153
7.5光伏電池特性的測量155
習(xí)題156
參考文獻(xiàn)157

第8章硅光伏電池的設(shè)計(jì)158
8.1光生載流子的收集概率158
8.2p型襯底摻雜濃度的確定161
8.3n型擴(kuò)散吸收層的考量162
8.3.1pn結(jié)結(jié)深的影響162
8.3.2擴(kuò)散n＋層橫向電阻的影響163
8.3.3磷硅玻璃層問題165
8.3.4重?fù)诫s效應(yīng)166
8.3.5對(duì)飽和電流密度的影響166
8.4背面場的影響166
8.5光照正面柵電極的設(shè)計(jì)166
8.6減反射膜與絨面的作用171
8.6.1減反射膜171
8.6.2絨面172
8.7光譜響應(yīng)174
8.8小結(jié)175
習(xí)題175
參考文獻(xiàn)176

附錄177
附錄1常用物理常數(shù)表177
附錄21eV能量對(duì)應(yīng)的變換表等價(jià)量177
附錄3幾種半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)177
附錄4工程計(jì)算中的輻射量問題178