第1章 半導(dǎo)體器件和組件
1.1 內(nèi)容特點(diǎn)和學(xué)習(xí)指導(dǎo)
1.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu)
1.1.2 重點(diǎn)難點(diǎn)
1.1.3 學(xué)習(xí)指導(dǎo)
1.2 內(nèi)容要點(diǎn)
1.2.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
1.2.2 PN結(jié)和二極管
1.2.3 雙極型晶體管
1.2.4 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1.2.5 集成運(yùn)算放大器組件
1.3 內(nèi)容擴(kuò)展
1.3.1 晶體管中的ICBO和ICEO
1.3.2 工程上飽和壓降VCES=0.3V的來(lái)歷
1.3.3 硅光電池
1.3.4單結(jié)晶體管
1.3.5 晶閘管（可控硅）
1.3.6 功率MOS管
1.4 解題示例和仿真
1.4.1 二極管及其應(yīng)用
1.4.2 雙極型晶體管
1.4.3 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1.4.4 運(yùn)算放大器組件
1.5 自檢練習(xí)
1.5.1 A卷和答案
1.5.2 B卷和答案
第2章 信號(hào)放大器基礎(chǔ)
2.1 內(nèi)容特點(diǎn)和學(xué)習(xí)指導(dǎo)
2.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu)
2.1.2 重點(diǎn)難點(diǎn)
2.1.3 學(xué)習(xí)指導(dǎo)
2.2 內(nèi)容要點(diǎn)
2.2.1 放大器的概念和主要性能指標(biāo)
2.2.2 晶體管放大器
2.2.3 差分放大器
2.2.4 放大器的頻率特性
2.2.5 負(fù)反饋放大器
2.3 內(nèi)容擴(kuò)展
2.3.1 放大器的功率關(guān)系
2.3.2 多級(jí)放大器及其通頻帶計(jì)算
2.3.3 放大器的瞬態(tài)響應(yīng)
2.3.4 負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性
2.3.5 有內(nèi)部反饋時(shí)放大器的輸入／輸出電阻
2.4 解題示例和仿真
2.4.1 放大器的正確組成
2.4.2 放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算
2.4.3 放大器的指標(biāo)計(jì)算
2.4.4 放大器的頻率特性
2.4.5 負(fù)反饋放大器
2.5 自檢練習(xí)
2.5.1 A卷和答案
2.5.2 B卷和答案
第3章 模擬集成電路基礎(chǔ)
3.1 內(nèi)容特點(diǎn)和學(xué)習(xí)指導(dǎo)
3.1.1 內(nèi)容結(jié)構(gòu)
3.1.2 重點(diǎn)難點(diǎn)
3.1.3 學(xué)習(xí)指導(dǎo)
3.2 內(nèi)容要點(diǎn)
3.2.1 雙極型晶體管集成運(yùn)放
3.2.2 MOS電流鏡
3.2.3 現(xiàn)代模擬集成電路技術(shù)和新型運(yùn)算放大器
3.2.4 運(yùn)放的頻率特性及大信號(hào)運(yùn)用
3.2.5 集成運(yùn)算放大器的主要特性參數(shù)
3.2.6 集成模擬乘法器
3.3 內(nèi)容擴(kuò)展
3.3.1 集成電路的工藝知識(shí)
3.3.2 集成電路中的元件
3.4 解題示例和仿真
3.4.1 雙極型晶體管集成運(yùn)放
3.4.2 CMOS集成運(yùn)算放大器
3.4.3 現(xiàn)代模擬集成電路技術(shù)和新型運(yùn)算放大器
第4章 集成運(yùn)算放大器應(yīng)用
第5章 功率電子電路
第6章 通信電子電路
第7章 傳感器與信號(hào)處理電路
第8章 數(shù)字和模擬混合電路
參考文獻(xiàn)