《硅酸鹽晶體化學》以硅酸鹽材料為研究對象，以微觀結構為主要研究手段，結合結晶學等相關學科，重點闡述了結構對水泥、玻璃、陶瓷等性能的影響。第一、二、三章是結構分析的基礎，第四、五、六、七、八章是對詳細水泥結構和性能的剖析，第九、十章是關于玻璃、陶瓷的性能分析，最后一章對世界結構最新研究手段——EBSD作了初步介紹。
硅酸鹽晶體化學是以硅酸鹽材料的工業(yè)原料及其產(chǎn)品為主要研究對象的一門科學，是將傳統(tǒng)的硅酸鹽科學與研究天然礦物的結晶礦物學、研究微觀結構的高科技儀器和專用于研究結晶學的計算機軟件有機地緊密結合起來而形成的一門新興學科。
結構決定性能。硅酸鹽材料的種種特性如（亞）晶界、缺陷、晶體取向、顆粒邊界和孔隙度等，均可從其微觀結構方面人手，通過對硅酸鹽材料工業(yè)原料和產(chǎn)品的結構分析研究，查明顯微結構變化特征與生產(chǎn)過程中的不同溫度和氣氛等條件的內(nèi)在聯(lián)系，以確定由于外界條件和物質內(nèi)部結構引起物質性能改變的原因，找出改進生產(chǎn)工藝、提高產(chǎn)品質量、研制新產(chǎn)品、材料改性以及硅酸鹽工業(yè)節(jié)能減排的新途徑，促使硅酸鹽工業(yè)向資源節(jié)約型、環(huán)境友好型及低碳經(jīng)濟時代邁進。
目前，缺乏在結構方面，尤其是微觀結構與性能方面系統(tǒng)研究硅酸鹽材料的專業(yè)人才。因此，本書建立在結晶學、固體物理、材料科學以及檢測儀表學等眾多學科基礎之上，以硅酸鹽材料的晶體結構和性能為主體，跟蹤世界最新的科學研究成果，結合硅酸鹽材料的實際生產(chǎn)應用的需要，細致、全面地講解硅酸鹽材料的結構對性能的影響。
編者在撰寫過程中力求使本書做到理論完善、結構嚴謹、文字精練、圖形清楚、思路清晰，分別從水泥、玻璃、陶瓷三個方面闡述，以水泥為代表較為深入地研究了硅酸鹽材料的晶體化學。本書首先從結晶學、晶體結構和晶體的生長與缺陷等基礎知識人手，結合晶體化學的基本原理，向讀者展開晶體化學研究的畫卷，由淺人深地展現(xiàn)編者在硅酸鹽晶體化學方面的研究成果，隨時導人在實際應用中出現(xiàn)的難點和解決方法，繞開一些研究和生產(chǎn)中的誤區(qū)。本書可供材料科學、晶體學、固體物理、晶體化學、硅酸鹽材料、硅酸鹽結構學等專業(yè)領域的研究人員、硅酸鹽生產(chǎn)的技術人員以及研究生使用，也可供硅酸鹽相近專業(yè)的其他學科的研究人員參考。
第1章 幾何結晶學
1.1 幾何結晶學研究史
1.2 晶體、非晶質體與準晶體
1.2.1 晶體
1.2.2 非晶質體的概念
1.2.3 準晶體的概念
1.2.4 晶體的內(nèi)部構造
1.3 晶體的性質
1.3.1 自限性
1.3.2 均一性
1.3.3 異向性
1.3.4 對稱性
1.3.5 最小內(nèi)能性
1.3.6 穩(wěn)定性
1.4 晶體的幾何對稱性
1.4.1 對稱要素及對稱操作
1.4.2 對稱要素的組合一32種對稱型（點群）
1.4.3 單形和聚形
1.4.4 晶體定向、晶面符號和晶棱符號
本章小結
第2章 晶體結構的空間幾何
2.1 晶體結構的空間格子
2.1.1 空間格子
2.1.2 14種空間格子（布拉維格子）
2.2 晶體結構的對稱性
2.2.1 滑移面
2.2.2 平移軸
2.2.3 螺旋軸
2.3 晶體的內(nèi)部結構與幾何外形
2.3.1 晶體的內(nèi)部結構
2.3.2 晶體的幾何外形
2.3.3 230種空間群
2.4 等效點系
2.4.1 等效點系符號
2.4.2 c1-Pmm2的等效點系
2.4.3 D14-P42/mnm的等效點系
2.4.4 等效點系與單形對比
本章小結
第3章 晶體生長
3.1 晶體的成核與生長
3.1.1 晶核的形成
3.1.2 熔體中晶體的生長
3.1.3 相界面狀態(tài)及穩(wěn)定性
3.2 燒結過程中的晶體生長
3.2.1 一次再結晶
3.2.2 多結晶體中正常結晶粒成長和二次再結晶
3.3 晶體的規(guī)則連生
本章小結
第4章 晶體化學基本原理
4.1 晶體中的化學鍵
4.2 離子晶格與晶格能
4.3 離子類型與離子半徑
4.3.1 離子類型
4.3.2 原子半徑與離子半徑
4.4 緊密堆積原理
4.4.1 球體最緊密堆積原理
4.4.2 等大球體的最緊密堆積
4.4.3 非等大球體的緊密堆積
4.4.4 緊密堆積原理的化合物
4.5 配位數(shù)和配位多面體
4.5.1 配位數(shù)
4.5.2 配位多面體
4.5.3 配位數(shù)與離子半徑的關系
4.6 化學鍵性與晶格類型
4.6.1 晶體中的鍵性
4.6.2 晶格類型
4.6.3 離子的極化
4.6.4 結晶化學定律
4.6.5 鮑林規(guī)則
4.7 典型無機化合物的晶體結構
4.7.1 AX型晶體
4.7.2 AX，型晶體
4.7.3 A2X3型晶體
4.7.4 ABO，型晶體
4.7.5 AB2O2型晶體
4.8 類質同像
4.8.1 類質同像的概念
4.8.2 類質同像的類型
4.8.3 類質同像的影響因素
4.8.4 類質同像的研究意義
4.9 同質多像
4.9.1 同質多像的概念
4.9.2 同質多像轉變
4.9.3 同質多像的研究意義
4.10 多型性
4.10.1 多型性概念
4.10.2 多型的表示方法
4.10.3 多型研究的意義
4.11 有序一無序
4.11.1 有序一無序的概念
4.11.2 有序一無序的類型
4.11.3 有序一無序轉變
4.11.4 有序一無序的研究意義
4.12 晶體結構參數(shù)與晶型的關系
本章小結
第5章 硅酸鹽礦物的晶體化學分類
5.1 硅酸鹽礦物的化學組成
5.1.1 形成硅酸鹽礦物的造種元素
5.1.2 硅酸鹽礦物的陽離子配位
5.1.3 硅酸鹽礦物的陰離子特征
5.2 硅酸鹽的晶體結構特征
5.2.1 硅氧骨干的特征
5.2.2 陽離子配位的特征
5.3 硅酸鹽礦物的分類
5.3.1 島狀基型硅酸鹽礦物
5.3.2 環(huán)狀基型硅酸鹽礦物
5.3.3 鏈狀基型硅酸鹽礦物
5.3.4 層狀基型硅酸鹽礦物
5.3.5 層架狀基型硅酸鹽礦物
5.4 硅酸鹽礦物中的晶體結構缺陷
5.4.1 點缺陷
5.4.2 位錯（線缺陷）
5.4.3 面缺陷
5.4.4 晶體表面、界面
5.4.5 晶體缺陷的研究方法
5.4.6 晶體缺陷研究的意義
本章小結
第6章 硅酸鹽礦物中的過渡性晶體結構
6.1 硅酸鹽礦物中的過渡性晶體結構
6.2 黑云輝閃石
6.2.1 黑云輝閃石礦物間的結構關系
6.2.2 輝閃石中的非周期結構
6.2.3 非周期結構的形成機理
6.3 礦物中的調幅結構
6.3.1 調幅結構的概念
6.3.2 與結構畸變有關的調幅結構
6.3.3 與成分變化有關的調幅結構
6.4 反相晶疇結構
6.4.1 輝石礦物的反相晶疇結構
6.4.2 斜長石中的反相晶疇非周期結構
6.5 層狀硅酸鹽礦物中的非周期結構
6.5.1 規(guī)則、無規(guī)則混層
6.5.2 一些常見的混層礦物
本章小結
第7章 硅酸鹽晶體化學的定量分類
7.1 硅酸鹽晶體結構的研究階段
7.1.1 第一階段：硅酸鹽結構類型及硅酸鹽體系形成
7.1.2 第二階段：大、小離子對硅氧骨干及折曲程度控制作用的研究
……
第8章 硅酸鹽水泥中物相的晶體化學
第9章 陶瓷材料晶體化學
第10章 玻璃材料的晶體化學
第11章 電子背散射衍射技術在硅酸鹽晶本化學中的應用
參考文獻
1.3.6穩(wěn)定性
在相同的熱力學條件下，化學成分相同的物質以不同的物理狀態(tài)存在時，結晶狀態(tài)最為穩(wěn)定。晶體的穩(wěn)定性是晶體具有最小內(nèi)能性的必然結果，晶體中質點只在平衡位置上振動，晶體是-個穩(wěn)定體系。非晶質體不穩(wěn)定，或僅是準穩(wěn)定的，有自發(fā)地轉變?yōu)榫w的必然趨勢。
在不同的自然環(huán)境或熱力學環(huán)境中，化學組成及內(nèi)部結構相同的晶體，總是生長成一種或幾種固定的幾何多面體外形。也就是說，晶體生長總帶有一定的結晶習性。晶體最終長成的形態(tài)總是被面網(wǎng)密度大的晶面（亦即比表面能小的晶面）所包圍。
布拉維指出：面網(wǎng)密度小的晶面，其垂直方向上生長速度快；而面網(wǎng)密度大的晶面，其垂直方向上生長速度慢。這種相對生長的速度差，會造成面網(wǎng)密度大的晶面逐漸增大而最終保留為晶體表面，而面網(wǎng)密度小的晶面反而會逐漸縮小甚至消失。
例如，利用石英晶體生產(chǎn)石英玻璃時，需加熱到1600℃以上，便可知從石英的晶體狀態(tài)轉化為石英的玻璃狀態(tài)要積蓄大量的熔解潛熱。熔解潛熱可以定性地理解為離子從自由態(tài)進入晶體格子構造狀態(tài)時所釋放出的能量，離子獲得了比在晶體狀態(tài)更大的自由度便形成了玻璃。
反之，玻璃生產(chǎn)過程中玻璃析晶的產(chǎn)生，從能量觀點解釋，是玻璃中局部能量得以散失的結果。常溫下玻璃的析晶作用說明玻璃有趨于穩(wěn)定態(tài)——結晶態(tài)的傾向。
結晶體和一切非晶質體比較，從能量觀點看具有最小內(nèi)能；從構造觀點看具有最緊密堆積的格子構造，這就是晶體的穩(wěn)定性原因。而氣體、液體的流動性，正是由于它們有相當大的內(nèi)能以及內(nèi)部構造的疏松無序。
1.4晶體的幾何對稱性
面角恒等定律是晶體外形的幾何規(guī)律之一。晶體在實際生長的過程中，由于受各種不同的生長環(huán)境的影響，即使是同種晶體，同種晶面，其最后發(fā)育的結果亦會有所不同，因而使晶體外形本應具有的對稱特點往往被掩蓋起來。但面角恒等定律及晶體測量、投影工作，可以把被掩蓋了對稱特點的真實晶體，恢復成一種所謂理想的晶體形態(tài)——單形或聚形。晶體不同，其理想晶形也不同。所以把真實晶體復原至理想形態(tài)，可以達到鑒別晶體的目的。另外，只有知道了晶體的理想形態(tài)，才能知道真實晶體形態(tài)的變異程度，這對于分析晶體生長環(huán)境、分析硅酸鹽產(chǎn)品的工藝條件也是一個很重要的方面。
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