高能宇宙射線與大氣相互作用產(chǎn)生大量次級中子，在半導體器件中引起中子單粒子效應，可導致電子系統(tǒng)產(chǎn)生軟錯誤或者硬損傷，影響飛機或者臨近空間飛行器飛行的可靠性和安全性。本書主要介紹大氣中子輻射環(huán)境及建模、中子輻射模擬裝置和中子輻射環(huán)境測量技術、中子單粒子效應機理與數(shù)值模擬方法，以及實驗方法和數(shù)據(jù)處理方法，并給出單能中子源、散裂中子源、核反應堆、高山等典型環(huán)境的中子單粒子效應實驗結(jié)果。

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