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集成電路器件抗輻射加固設計技術 讀者對象:本書可作為普通高等院校集成電路科學與工程、電子信息工程、微電子科學與工程、計算機科學與技術等專業(yè)的"集成電路設計"、"容錯計算"、"嵌入式系統(tǒng)設計"等課程的本科生和研究生教材,也可作為電路與系統(tǒng)研發(fā)工程師、芯片可靠性設計工程師以及集成電路容錯愛好者的學習參考用書或培訓教材。
本書從集成電路器件可靠性問題出發(fā),具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應、軟錯誤和仿真工具等背景知識,詳細介紹了抗輻射加固設計(RHBD)技術以及在該技術中常用的相關組件,重點針對表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)單元介紹了經典的和新穎的RHBD技術,扼要描述了相關實驗并給出了容錯性能和開銷對比分析。本書共分為6章,分別為緒論、常用的抗輻射加固設計技術及組件、表決器的抗輻射加固設計技術、鎖存器的抗輻射加固設計技術、主從觸發(fā)器的抗輻射加固設計技術以及SRAM單元的抗輻射加固設計技術。通過學習本書內容,讀者可以強化對集成電路器件抗輻射加固設計技術的認知,了解該領域的當前**研究成果和相關技術。
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