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本書聚焦CMOS模擬集成電路版圖設計領域，從版圖的基本概念、設計方法和EDA工具入手，循序漸進介紹了CMOS模擬集成電路版圖規(guī)劃、布局、設計到流片的全流程；詳盡地介紹了目前主流使用的模擬集成電路版圖設計和驗證工具——Cadence IC 6.1.7與Siemens EDA Calibre Design Solutions (Calibre)；同時展示了運算放大器、帶隙基準源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器等典型模擬集成電路版圖的設計實例，并結(jié)合實例對LVS驗證中的典型案例進行了歸納和總結(jié)；最后對集成電路設計使用的工藝設計工具包內(nèi)容，以及參數(shù)化單元建立方法進行了討論。
本書通過結(jié)合基礎、工具和設計實踐，由淺入深，使讀者深刻了解CMOS模擬集成電路版圖設計和驗證的規(guī)則、流程和基本方法，對于進行CMOS模擬集成電路學習的高年級本科生、研究生,以及從事集成電路版圖設計與驗證的工程師，都能提供有益的幫助。

進入21世紀以來，CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝仍是模擬、邏輯集成電路的主流工藝，并在后摩爾時代，向著納米級繼續(xù)發(fā)展。作為集成電路最為經(jīng)典的設計形式，CMOS模擬集成電路在當今快速發(fā)展的技術革新中依然占據(jù)著不可動搖的地位。而其中的模擬集成電路版圖設計與驗證，又是電路設計到物理實現(xiàn)的關鍵環(huán)節(jié)。
與數(shù)字集成電路版圖主要依據(jù)工具實現(xiàn)不同，模擬集成電路版圖主要依靠設計者手動實現(xiàn)，設計者的技術水平和產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗都是一款芯片成敗的關鍵因素。因此本書依托版圖設計工具Cadence IC 6.1.7和物理驗證工具Siemens EDA Calibre Design Solutions (Calibre)，從模擬集成電路版圖的基本概念、方法入手，通過運算放大器、帶隙基準源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器等典型模擬集成電路版圖的設計實例，向讀者介紹模擬集成電路版圖設計的理論基礎和實用設計方法，以供從事CMOS模擬集成電路版圖設計的讀者參考討論之用。
本書內(nèi)容主要分為6個部分，共12章內(nèi)容：
第1章首先介紹目前快速發(fā)展的先進集成電路器件的理論知識，包括納米級FinFET（鰭式場效應晶體管）、FD-SOI（全耗盡-絕緣襯底上硅）和碳基晶體管的特點和物理特性。分析了先進工藝節(jié)點中的版圖相關效應及解決方案。同時對模擬集成電路中的gm/ID設計方法進行詳細分析。
第2章重點討論CMOS模擬集成電路設計的基本流程、模擬集成電路版圖定義，之后分小節(jié)討論CMOS模擬集成電路版圖的概念、設計、驗證流程、布局和布線準則，以及通用的設計規(guī)則。
第3~6章分章節(jié)詳細介紹了版圖設計工具Cadence IC 6.1.7、物理驗證工具Siemens EDA Calibre、DRC/LVS規(guī)則定義、修改法則，以及完整的CMOS模擬集成電路版圖設計、驗證流程。
第7~10章介紹運算放大器、帶隙基準源、低壓差線性穩(wěn)壓器、模－數(shù)轉(zhuǎn)換器、標準輸入輸出單元庫等基本模擬電路版圖規(guī)劃、布局，以及設計的基本方法。
第11章對Siemens EDA Calibre中LVS驗證的常見問題進行了歸納和總結(jié)，希望幫助讀者快速掌握版圖驗證的基本分析技巧。
第12章對集成電路設計所使用的工藝設計工具包進行了介紹和討論，分析了所包含的規(guī)則文件和器件模型。
本書內(nèi)容詳盡豐富，具有較強的理論性和實踐性。本書由廈門理工學院光電與通信工程學院陳鋮穎老師主持編纂，北京郵電大學陳黎明老師、北京大學蔣見花老師和北京理工大學王興華老師一同編寫完成。其中蔣見花老師完成了第1章的編寫，王興華老師進行了第2章的撰寫工作，陳鋮穎老師完成了第3~11章的編寫，第12章由陳黎明老師編寫完成。同時感謝中國電子科技集團公司第四十七研究所高級工程師范軍，北京中電華大電子設計有限責任公司工程師王鑫，廈門理工學院微電子學院陳智峰、廖文麗、陳繼明、陳煌偉同學在查找資料、文檔整理、文稿審校方面付出的辛勤勞動，正是有了大家的共同努力，才使本書得以順利完成。
本書受到廈門市重大科技計劃項目（3502Z20221022）和廈門理工學院教材建設基金項目資助。
由于本書涉及器件、電路、版圖設計等多個方面，受時間和編者水平限制，書中難免存在不足和局限，懇請讀者批評指正。

編者2023年7月

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