本書主要分為半導體物理實驗及半導體器件實驗兩部分。半導體物理實驗包括單 晶硅材料的激光定向、單晶硅中晶體缺陷的腐蝕顯示、半導體材料導電類型測定、四探針 法測試半導體電阻率、霍爾效應(yīng)實驗、高頻光電導法測少子壽命、半導體材料光學特性的 測量、MOS 結(jié)構(gòu) C-V 特性測量、PN 結(jié)勢壘特性及雜質(zhì)的測試分析、PN 結(jié)正向特性的研 究和應(yīng)用等十個實驗。半導體器件實驗包括二極管特性參數(shù)測量、穩(wěn)壓二極管特性測 量、雙極型晶體管直流參數(shù)測量、場效應(yīng)管直流參數(shù)測量、晶體管基極電阻測量、晶體管 特征頻率測量、數(shù)字電橋測量電位器的電阻值、集成電路特性測量、太陽能電池測量等十 個實驗。