前言
第1章 半導體器件缺陷及失效分析技術概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
專欄:NANOTS的成立與更名/
第1章參考文獻/
第2章 硅集成電路(LSI)的失效分析技術/
2.1失效分析的步驟和近8年新開發(fā)或普及的技術/
2.2封裝部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析過程和主要失效分析技術一覽/
2.4芯片部件的無損分析方法/
2.5芯片部件的半破壞性分析/
2.6物理和化學分析方法/
專欄:應該如何命名?/
第2章練習題/
第2章縮略語表/
第2章參考文獻/
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技術/
3.1功率器件的結構和制造工藝/
3.2由晶圓制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術/
專欄:晶圓背面狀態(tài)對工藝的影響/
3.3由芯片制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術/
專欄:堿金屬的加速氧化/
3.4由模塊制造工藝引起的設備缺陷及失效分析技術/
3.5功率器件的其他分析技術/
專欄:增大用于功率器件的晶圓直徑/
第3章練習題/
第3章參考文獻/
第4章 化合物半導體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術/
4.1化合物半導體發(fā)光器件的工作原理和結構/
4.2化合物半導體發(fā)光器件的可靠性(以半導體激光器為例)/
4.3化合物半導體發(fā)光器件的可靠性測試/
4.4化合物半導體發(fā)光器件缺陷及失效分析的基本技術/
4.5化合物半導體發(fā)光器件缺陷及失效分析流程圖/
專欄:高速增長的VCSEL市場，可靠性沒問題?不!/
第4章練習題/
第4章縮略語表/
第4章參考文獻/
作者介紹/
練習題答案