脈沖功率技術在軍事和工業(yè)的眾多領域都有著廣泛應用。脈沖功率開關是脈沖功率系統(tǒng)的核心器件之一，由于半導體器件具有體積小、壽命長、可靠性高等優(yōu)點，脈沖功率開關出現(xiàn)了半導體化的趨勢。本書首先對脈沖功率開關的發(fā)展歷程進行了總體概述，然后分別論述了電流控制型器件(具體包括GTO晶閘管、GCT和IGCT、非對稱晶閘管)和電壓控制型器件(具體包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的結構、工作原理、特性參數(shù)、封裝技術、可靠性及其在脈沖功率系統(tǒng)中的應用，特別討論了幾種新型專門用于脈沖功率領域的半導體開關(包括反向開關晶體管、半導體斷路開關、漂移階躍恢復二極管、光電導開關和快速離化晶體管)的機理模型和實際運用等問題，論述了部分新型碳化硅基器件，最后闡述了脈沖功率應用技術。