《納米半導(dǎo)體器件與技術(shù)》(作者印紐斯基)這本 書由來自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的國(guó)際頂級(jí)專家參與撰寫, 是 一本對(duì)未來納米制造技術(shù)有濃厚興趣的人必讀的書。
《納米半導(dǎo)體器件與技術(shù)》介紹了半導(dǎo)體工藝從 標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅工藝到新型器件結(jié)構(gòu)的演變,包括碳納 米管、 石墨烯、量子點(diǎn)、III-V族材料。本書涉及納米電子 器件的研究現(xiàn)狀,提供了包羅萬象的關(guān) 于材料和器件結(jié)構(gòu)的資源.包括從微電子到納電子的 革命。
本書分三個(gè)部分: 半導(dǎo)體材料(例如,碳納米管,憶阻器及自旋有 機(jī)器件); 硅器件與技術(shù)(如BICMOS,SOI,各種三維集成和 RAM技術(shù).以及太陽能電池); 復(fù)合半導(dǎo)體器件與技術(shù)。
本書探索了能夠在微電子系統(tǒng)性能上超越傳統(tǒng) CMOS的新興材料。討論的主題涉及碳納 米管的電子輸運(yùn)GAN HEMTS技術(shù)及應(yīng)用。針對(duì)萬億美 元納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)的真實(shí)市場(chǎng)需求和技 術(shù)壁壘,本書提供了新型元器件結(jié)構(gòu)的重要信息.而 這將使其向未來的發(fā)展邁出一大步。
第一部分 半導(dǎo)體材料
第1章 碳納米管中的電子運(yùn)動(dòng):從電子動(dòng)力學(xué)到電路模型
1.1 引言
1.2 碳納米管的電子動(dòng)力學(xué)
1.2.1 概述
1.2.2 碳納米管的能帶結(jié)構(gòu)
1.2.3 碳納米管的構(gòu)造
1.2.4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數(shù)量
1.3 電磁學(xué)中的應(yīng)用:碳納米管作為一種新型的散射材料
1.3.1 概述
1.3.2 碳納米管散射的電磁學(xué)模型
1.4 電路中的應(yīng)用:碳納米管作為一種新型的互連材料
1.4.1 納米級(jí)互連中的碳納米管
1.4.2 碳納米管互連的TL模型
1.4.3 束狀碳納米管作為新型的芯片封裝的互連材料 第一部分 半導(dǎo)體材料
第1章 碳納米管中的電子運(yùn)動(dòng):從電子動(dòng)力學(xué)到電路模型
1.1 引言
1.2 碳納米管的電子動(dòng)力學(xué)
1.2.1 概述
1.2.2 碳納米管的能帶結(jié)構(gòu)
1.2.3 碳納米管的構(gòu)造
1.2.4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數(shù)量
1.3 電磁學(xué)中的應(yīng)用:碳納米管作為一種新型的散射材料
1.3.1 概述
1.3.2 碳納米管散射的電磁學(xué)模型
1.4 電路中的應(yīng)用:碳納米管作為一種新型的互連材料
1.4.1 納米級(jí)互連中的碳納米管
1.4.2 碳納米管互連的TL模型
1.4.3 束狀碳納米管作為新型的芯片封裝的互連材料
1.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 碳納米管與cMos的單片集成
第3章 便捷的、可擴(kuò)展的外圍電化學(xué)方法制備二氧化鈦憶阻器
第4章 有機(jī)半導(dǎo)體中的自旋傳輸:最初八年的簡(jiǎn)要概述
第二部分 硅器件和技術(shù)
第5章 siGc BicMoS技術(shù)與器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例:極限FDSOI多柵MOSFET和多勢(shì)壘促進(jìn)柵極共振隧穿FET
第7章 三維芯片集成技術(shù)的發(fā)展
第8章 嵌入式STT—MRAM
第9章 非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器件:阻變存儲(chǔ)器
第10章 DRAM技術(shù)
第11章 單晶硅太陽能電池的優(yōu)化和模型
第12章 硅器件的輻射效應(yīng)
第三部分 復(fù)合半導(dǎo)體器件與技術(shù)
第13章 使用直接生長(zhǎng)技術(shù)的GaN/InGaN雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
第14章 氮化鎵高電子遷移率晶體管技術(shù)與應(yīng)用
第15章 基于CaN的金屬-氧化物-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的表面處理、工藝和性能
第16章 下一代高功率/高溫器件——大尺度硅襯底氮化鎵基HEMT器件
第17章 應(yīng)用于手機(jī)終端的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管及功率放大器設(shè)計(jì)
第18章 Ⅲ族氯化物的負(fù)微分電阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半導(dǎo)體子能帶光電學(xué)的新發(fā)展