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半導體物理與器件實驗教程 讀者對象:本書可作為電子科學與技術專業(yè)特別是微電子科學與工程、微電子學、集成電路與集成系統(tǒng)等專業(yè)的“半導體物理實驗”和“微電子器件實驗”的實驗教材或參考書, 也可供相關研究人員參考
全書分上下兩篇, 上、下兩篇既獨立成篇又互為聯(lián)系, 隸屬于微電子相關專業(yè)的知識體系, 其中每篇又由“基礎知識”和“實驗”兩部分構成。上篇為“半導體物理實驗”, 分別為構建晶體結構、仿真與分析晶體電子結構、單波長橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測試半導體電阻率、霍耳效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、肖特基二極管的電流電壓測試分析、肖特基二極管的勢壘高度和半導體的雜質濃度的測試分析、MIS的高頻CV測試。下篇為“微電子器件實驗”, 分別為二極管直流參數(shù)測試、雙極型晶體管直流參數(shù)測試、MOS場效應晶體管直流參數(shù)測試、雙極型晶體管開關參數(shù)測試、雙極型晶體管頻率特性測試。每個實驗均包括學習目標、建議學時、原理、實驗儀器、實驗內(nèi)容、實驗步驟、復習題, 旨在培養(yǎng)學生的實驗操作技能和實驗思考技能。
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