第一章 緒論
1.1 模擬電路與芯片級集成系統(tǒng)
1.1.1 CMOS模擬電路緣起
1.1.2 模擬電路在芯片級集成系統(tǒng)中的作用
1.1.3 模擬集成電路與生物學
1.1.4 芯片學的未來
1.2 模擬集成電路設計旨要
1.2.1 模擬電路設計的科學性與工匠性
1.2.2 電學設計
1.2.3 物理設計
1.3 有關問題說明
1.3.1 熱點問題與本書著重點
1.3.2 內容安排
1.3.3 字符、符號使用說明

第二章 CMOS集成電路基本器件
2.1 CMOS集成電路物理結構及制作過程
2.1.1 物理結構和基本制作過程
2.1.2 制造工藝分類
2.2 PN結二極管
2.2.1 基本電流一電壓特性
2.2.2 擊穿特性
2.2.3 PN結二極管電容
2.2.4 PN結二極管噪聲
2.2.5 PN結二極管溫度特性
2.3 MOS晶體管電流一電壓特性
2.3.1 MOS晶體管基本結構和工作原理
2.3.2 MOS晶體管特性的數(shù)學描述
2.3.3 溝道強反型模型
2.3.4 溝道弱反型模型
2.3.5 深亞微米MOS管特性
2.3.6 等效電路和寄生電容
2.4 MOS晶體管小信號和噪聲及溫度特性
2.4.1 小信號模型
2.4.2 噪聲特性
2.4.3 溫度特性
2.5 CMOS電路中無源器件和寄生器件
2.5.1 電容
2.5.2 電阻
2.5.3 電感
2.5.4 CMOS電路的寄生器件

第三章 基本單元電路
3.1 單管共源放大電路
3.1.1 共源管的作用
3.1.2 單管放大器的偏置
3.1.3 小信號低頻特性
3.1.4 小信號高頻特性
3.1.5 放大器頻率參數(shù)
3.1.6 噪聲特性
3.2 單管阻抗變換電路
3.2.1 共漏管構成的源極電壓跟隨器
3.2.2 共柵管構成的電流跟隨器
3.3 基本放大單元
3.3.1 直流分析
3.3.2 低頻增益
3.3.3 高頻特性
3.3.4 小信號近似誤差
3.3.5 電流能力和壓擺率
3.3.6 CMOS反相放大級設計
3.3.7 其他類型反相放大級
3.4 共源共柵級聯(lián)放大單元
3.4.1 共源共柵級聯(lián)電路形式
3.4.2 低阻負載共源共柵級聯(lián)放大級（寬帶放大級）
3.4.3 恒流源負載共源共柵級聯(lián)放大級（高增益放大級）
3.4.4 噪聲特性
3.4.5 增益提升技術
……
第四章 運算放大器
第五章 連續(xù)時間濾波器
第六章 開關電容電路
第七章 過采樣數(shù)據(jù)轉換器