本書(shū)是空軍工程大學(xué)超寬帶天線與陣列課題組多年超寬帶天線和超寬帶陣列研究工作的凝練和總結(jié)。全書(shū)共6章，以超寬帶陣列天線研究為主線，漸變開(kāi)槽天線結(jié)構(gòu)和平面螺旋天線結(jié)構(gòu)為主要研究對(duì)象，分析兩種超寬帶陣列的工作性能及單元間耦合特性，提煉超寬帶陣列天線工作的單元間耦合利用條件，研究小規(guī)模陣列邊緣截?cái)嘈��?yīng)的特性及抑制方法，探索漸變

本書(shū)詳細(xì)介紹無(wú)線“日盲”紫外光通信的信道特性，分析無(wú)線紫外光通信中的調(diào)制和分集接收技術(shù)，討論網(wǎng)絡(luò)拓?fù)渲械母采w算法和連通性，并將無(wú)線紫外光通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)應(yīng)用在編隊(duì)通信過(guò)程中，重點(diǎn)研究無(wú)人機(jī)編隊(duì)的網(wǎng)絡(luò)連通性和直升機(jī)編隊(duì)的網(wǎng)絡(luò)通路快速恢復(fù)算法。

數(shù)字電路發(fā)展為何如此之快？它的原理是什么，是如何設(shè)計(jì)出來(lái)的？針對(duì)這些問(wèn)題，本書(shū)通過(guò)漫畫(huà)的形式，以更加直觀的方式，對(duì)數(shù)字電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行講解。同時(shí)，在內(nèi)容方面使用了很多形象的事例對(duì)元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入剖析，這些在以往的數(shù)字電路教材中是找不到的，希望通過(guò)這些努力，可以給跨專(zhuān)業(yè)從事數(shù)字電路設(shè)計(jì)工作的讀者帶來(lái)幫助。

本書(shū)主要介紹紅外光電子物理研究的基本原理和技術(shù)。論述紅外功能物質(zhì)系統(tǒng)中光電轉(zhuǎn)化、電光轉(zhuǎn)化、光光轉(zhuǎn)化過(guò)程及其規(guī)律和控制方法的研究。討論人們對(duì)自然界物質(zhì)運(yùn)動(dòng)形態(tài)轉(zhuǎn)化過(guò)程的認(rèn)識(shí)，既是器件研制的基礎(chǔ)，又是紅外功能材料設(shè)計(jì)與制備的指導(dǎo)。人們?cè)谏钊胙芯考t外功能物質(zhì)材料及其異質(zhì)結(jié)、低維系統(tǒng)光電子物理過(guò)程的微觀機(jī)制的基礎(chǔ)上，深入研究光

本書(shū)聚焦有機(jī)光電材料的基本理論研究，首先從聚合物中能帶、元激發(fā)(孤子、極化子)結(jié)構(gòu)與運(yùn)動(dòng)方程出發(fā)，介紹導(dǎo)電聚合物的光譜與載流子傳輸過(guò)程，然后探討有機(jī)聚集體的光譜和給受體復(fù)合體系中的光致電子轉(zhuǎn)移過(guò)程。從唯象模型出發(fā)，給出有機(jī)光電器件的基本物理模型與數(shù)值描述，然后返回到OLED和OFET器件的微觀模型，即分子激發(fā)態(tài)過(guò)程與電

本書(shū)以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性為一體。全書(shū)共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長(zhǎng)理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

空天目標(biāo)探測(cè)與識(shí)別技術(shù)在空天安全保障中發(fā)揮著舉足輕重的作用。本書(shū)是作者在完成多個(gè)相關(guān)基金項(xiàng)目基礎(chǔ)上撰寫(xiě)而成，書(shū)中梳理和總結(jié)了作者近十年來(lái)相對(duì)完整與體系化的研究成果。具體內(nèi)容包括：空天目標(biāo)成像基本原理、發(fā)射波形認(rèn)知優(yōu)化設(shè)計(jì)、雷達(dá)資源優(yōu)化調(diào)度、新體制雷達(dá)認(rèn)知成像、微動(dòng)目標(biāo)特征認(rèn)知提取與成像等。書(shū)中詳細(xì)闡述了空天目標(biāo)認(rèn)知成像

本書(shū)全面、系統(tǒng)地闡述光子計(jì)數(shù)成像技術(shù)的基本理論、方法及其應(yīng)用。全書(shū)共五章，主要介紹微光成像技術(shù)發(fā)展及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀、蓋革雪崩光電二極管的電氣特性和光學(xué)特性、蓋革雪崩光電二極管的等效電路和探測(cè)電路模型、Si蓋革雪崩光電二極管和InGaAs蓋革雪崩光電二極管在不同天氣情況不同波段下的光電子數(shù)分布、蒙特卡洛方法建立的光子計(jì)數(shù)

逆合成孔徑雷達(dá)成像是通過(guò)目標(biāo)電磁散射回波獲取尺寸、結(jié)構(gòu)的重要途徑，在稀疏孔徑條件下，逆合成孔徑雷達(dá)成像面臨旁瓣與柵瓣干擾嚴(yán)重、平動(dòng)補(bǔ)償難等科學(xué)難題。針對(duì)這些難題，本書(shū)對(duì)稀疏貝葉斯逆合成孔徑雷達(dá)成像技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)論述。主要內(nèi)容包括稀疏貝葉斯先驗(yàn)建模、稀疏孔徑逆合成孔徑雷達(dá)自聚焦、橫向定標(biāo)、雙基逆合成孔徑雷達(dá)成像與干涉逆合成

本書(shū)是為電子技術(shù)初學(xué)用戶提供的電路裝配實(shí)踐指導(dǎo)用書(shū)。按照燈光控制類(lèi)、門(mén)鈴音響類(lèi)、開(kāi)關(guān)控制類(lèi)、無(wú)線發(fā)射接收類(lèi)、信號(hào)檢測(cè)類(lèi)、報(bào)警器類(lèi)和音頻放大類(lèi)等類(lèi)別，列舉了30款由分立元件組成的小電路，每個(gè)電路都有原理簡(jiǎn)介、電路原理圖、印板圖、元件清單、以及詳細(xì)的裝配步驟，可為讀者提供有針對(duì)性的裝配指導(dǎo)。本書(shū)提供了部分電路的詳細(xì)焊接裝配

本書(shū)首先介紹了5G在全球的商用情況及5G對(duì)未來(lái)發(fā)展的展望，以及國(guó)際、國(guó)內(nèi)各組織對(duì)5G發(fā)展的推動(dòng)情況；其次介紹了5G核心網(wǎng)NSA和SA架構(gòu)，對(duì)5GSA核心網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)（例如，SBA架構(gòu)、網(wǎng)絡(luò)切片、邊緣計(jì)算等）進(jìn)行了詳細(xì)闡述，結(jié)合5G網(wǎng)絡(luò)的技術(shù)特點(diǎn)，全面介紹了5G的主要應(yīng)用場(chǎng)景；然后詳細(xì)介紹了5GSA核心網(wǎng)的規(guī)劃思路和方法

信息質(zhì)量研究一直是信息科學(xué)及圖書(shū)情報(bào)領(lǐng)域關(guān)注和研究的熱點(diǎn)。《多元視角下用戶生成內(nèi)容的信息質(zhì)量評(píng)估研究》以移動(dòng)社交環(huán)境下用戶生成內(nèi)容為研究對(duì)象，主要包括在互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)作、編輯、轉(zhuǎn)載、評(píng)論等信息的文本內(nèi)容。從用戶認(rèn)知和資源內(nèi)容維度，利用文獻(xiàn)調(diào)研、問(wèn)卷調(diào)查、深度訪談以及信息科學(xué)等不同的視角評(píng)估用戶生產(chǎn)內(nèi)容的質(zhì)量影響要素。

針對(duì)短溝道MOSFET的高頻噪聲機(jī)理分析和模型表征，《短溝道MOSFET的高頻噪聲機(jī)理分析與表征》以不同研究階段采用的不同方法為脈絡(luò)，從新型器件研發(fā)初始階段的仿真模擬，遞進(jìn)到基于物理的理論數(shù)學(xué)模型推導(dǎo)和基于樣片測(cè)量的實(shí)驗(yàn)研究與半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ捅碚鳎�揭示了短溝道器件與長(zhǎng)溝道器件高頻熱噪聲機(jī)理完全不同的偏置不守恒特性和頻率依賴性

本書(shū)通過(guò)18章專(zhuān)題技術(shù)內(nèi)容，詳細(xì)向大家介紹了Vlog的拍攝與后期剪輯技巧，從前期拍攝、設(shè)備、題材、定位、構(gòu)圖、運(yùn)鏡、光線、道具、開(kāi)頭、結(jié)尾、封面、主題等，再到視頻的后期、剪輯、成品拆解等，最后到Vlog的分享與個(gè)人品牌變現(xiàn)等內(nèi)容，都做了全面、詳細(xì)的講解。

雷達(dá)作為人類(lèi)生活、工業(yè)、交通不可或缺的重要電子設(shè)備，是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的核心領(lǐng)域之一。隨著微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和數(shù)字化技術(shù)在雷達(dá)中的大量應(yīng)用，雷達(dá)技術(shù)和裝備取得了長(zhǎng)足發(fā)展，形成了高信號(hào)密度、高輻射功率、寬工作頻帶、多頻譜、多參數(shù)以及多種體制和多種對(duì)抗技術(shù)綜合應(yīng)用的復(fù)雜雷達(dá)信號(hào)環(huán)境。復(fù)雜環(huán)境下雷達(dá)系統(tǒng)能否正常運(yùn)行，雷達(dá)

本書(shū)針對(duì)我國(guó)首顆國(guó)產(chǎn)多極化合成孔徑雷達(dá)衛(wèi)星——高分三號(hào)衛(wèi)星編寫(xiě)。首先概述合成孔徑雷達(dá)衛(wèi)星發(fā)展歷史與趨勢(shì)；然后介紹高分三號(hào)衛(wèi)星工程整體情況與衛(wèi)星系統(tǒng)設(shè)計(jì)、合成孔徑雷達(dá)載荷原理與系統(tǒng)設(shè)計(jì)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品處理方法、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品體系與產(chǎn)品性能、衛(wèi)星圖像質(zhì)量提升技術(shù)與方法、衛(wèi)星數(shù)據(jù)在海洋領(lǐng)域典型應(yīng)用等內(nèi)容，涵蓋衛(wèi)星工程主要環(huán)節(jié)；并對(duì)正在研

隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展以及智能終端的迅速普及，網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)量呈指數(shù)增長(zhǎng)，這對(duì)無(wú)線頻譜效率提出了更高要求。同時(shí)同頻全雙工技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，有望獲得比傳統(tǒng)半雙工技術(shù)高出將近一倍的頻譜效率。本書(shū)重點(diǎn)介紹了全雙工系統(tǒng)的核心技術(shù)，即自干擾消除，總結(jié)了國(guó)內(nèi)外**研究成果，闡述了主動(dòng)與被動(dòng)自干擾消除方法及其特點(diǎn)，并在此基礎(chǔ)上介紹了全雙工

本書(shū)為“低維材料與器件叢書(shū)”之一。全書(shū)主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書(shū)力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書(shū)系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

大規(guī)模多輸入多輸出（multiple-inputmultiple-output，MIMO）無(wú)線通信能夠顯著地提升系統(tǒng)頻譜和功率效率，是近年來(lái)無(wú)線移動(dòng)通信領(lǐng)域最為活躍的研究方向。本書(shū)系統(tǒng)討論大規(guī)模MIMO無(wú)線通信理論與技術(shù)，主要包括大規(guī)模MIMO信道模型、大規(guī)模MIMO信道狀態(tài)信息獲取、大規(guī)模MIMO上下行數(shù)據(jù)傳輸、大規(guī)