本書(shū)從概念和原理入手，在衛(wèi)星通信技術(shù)脈絡(luò)的基礎(chǔ)上，介紹衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵理論和技術(shù)。首先，介紹互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展；其次，分析TCP/IP、衛(wèi)星通信的基本原理；再次，探討寬帶多媒體通信衛(wèi)星和星上處理技術(shù)，介紹寬帶多媒體通信衛(wèi)星發(fā)展的同時(shí)，詳細(xì)介紹星上處理技術(shù)的特點(diǎn)和應(yīng)用；最后，研究衛(wèi)星激光通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)接入技術(shù)、傳輸協(xié)議等，并介

本書(shū)在簡(jiǎn)要介紹半導(dǎo)體物理知識(shí)的基礎(chǔ)上，討論了pn結(jié)、雙極型晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件、其他半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、基本工作原理和基本分析方法。

本書(shū)是基于MATLAB軟件平臺(tái)的實(shí)驗(yàn)教程，在第一版的基礎(chǔ)上改編而成。內(nèi)容涵蓋了MATLAB基礎(chǔ)知識(shí)、圖像處理工具箱、圖像處理基本理論和方法、MATLAB函數(shù)和自定義函數(shù)，并提供了圖像處理實(shí)驗(yàn)的具體實(shí)例。本書(shū)共10章，包括MATLAB編程基礎(chǔ)、圖像處理工具箱、圖像增強(qiáng)實(shí)驗(yàn)——灰度變換與空間濾波、圖像增強(qiáng)實(shí)驗(yàn)——頻域?yàn)V波、

本書(shū)主要涉及物聯(lián)網(wǎng)物理層認(rèn)證方法研究，針對(duì)通信信號(hào)調(diào)制方式識(shí)別，提出了基于熵和Holder系數(shù)的通信調(diào)制信號(hào)特征提取算法、基于云模型的通信調(diào)制信號(hào)二次特征提取算法、基于分形理論的通信調(diào)制信號(hào)特征提取算法；針對(duì)通信輻射源個(gè)體指紋識(shí)別，提出了基于瞬態(tài)信號(hào)的通信輻射源個(gè)體識(shí)別方法、基于積分雙譜的通信輻射源個(gè)體識(shí)別方法、基于功

本書(shū)從集成電路器件可靠性問(wèn)題出發(fā)，具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、軟錯(cuò)誤和仿真工具等背景知識(shí)，詳細(xì)介紹了抗輻射加固設(shè)計(jì)（RHBD）技術(shù)以及在該技術(shù)中常用的相關(guān)組件，重點(diǎn)針對(duì)表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）單元介紹了經(jīng)典的和新穎的RHBD技術(shù)，扼要描述了相關(guān)實(shí)驗(yàn)并給出了容錯(cuò)性能和開(kāi)銷對(duì)比分析。本書(shū)

本書(shū)圍繞數(shù)據(jù)鏈基本理論和關(guān)鍵技術(shù)，首先介紹數(shù)據(jù)鏈的基本概念、組成功能和技術(shù)體系架構(gòu)；然后圍繞數(shù)據(jù)鏈信息傳輸技術(shù)、組網(wǎng)技術(shù)、信息融合技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)管理技術(shù)深度剖析數(shù)據(jù)鏈采用的技術(shù)點(diǎn)位和在數(shù)據(jù)鏈中的應(yīng)用，并以Link-16和Link-11波形協(xié)議為例，系統(tǒng)性地闡述了這兩種數(shù)據(jù)鏈的信息流程、工作方式、組網(wǎng)運(yùn)用等內(nèi)容；最后以軍事應(yīng)

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書(shū)主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號(hào)調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測(cè)器、太陽(yáng)能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書(shū)對(duì)目標(biāo)的散射機(jī)理、目標(biāo)特性與電磁理論的聯(lián)系，以及目標(biāo)特性領(lǐng)域中關(guān)于散射中心模型的熱點(diǎn)研究問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)闡述。本書(shū)共5章。第1章從解析解和典型規(guī)則目標(biāo)的近似解出發(fā)，提煉出散射的主要成分，丟掉次要部分，給出簡(jiǎn)潔、明了的散射機(jī)理性闡述；第2章依據(jù)第1章的理論，分析了散射機(jī)理的類型，建立了不同結(jié)構(gòu)體散射場(chǎng)隨頻率、方位、極化

散射光場(chǎng)信息的獲取和解譯，尤其是散射光場(chǎng)中偏振信息的獲取、傳遞和解譯是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)之一，其所攜帶的獨(dú)立于強(qiáng)度、相位和頻譜的獨(dú)立特性，使其在諸多領(lǐng)域都具有極高的應(yīng)用價(jià)值。本書(shū)首次系統(tǒng)地從散射光場(chǎng)中偏振特性的產(chǎn)生、傳輸和利用全鏈路地進(jìn)行全面分析和描述，同時(shí)也分析了散射光場(chǎng)中偏振信息提取和利用時(shí)應(yīng)考慮的主要影響因素