用于集成電路仿真和設(shè)計(jì)的FinFET建模——基于BSIM-CMG標(biāo)準(zhǔn)
定 價(jià)：99 元
叢書(shū)名：微電子與集成電路先進(jìn)技術(shù)叢書(shū)
- 作者：[印度] 尤蓋希·辛格·楚罕（Yogesh Singh Chauhan）[中國(guó)]
- 出版時(shí)間：2020/9/1
- ISBN：9787111659815
- 出 版 社：機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN402
- 頁(yè)碼：252
- 紙張：
- 版次：
- 開(kāi)本：16開(kāi)
隨著集成電路工藝特征尺寸進(jìn)入28nm以下節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)的平面MOSFET結(jié)構(gòu)已不再適用，新型的三維晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)逐漸成為摩爾定律得以延續(xù)的重要保證。本書(shū)從三維結(jié)構(gòu)的原理、物理效應(yīng)入手，詳細(xì)討論了FinFET緊湊模型（BSIM-CMG）產(chǎn)生的背景、原理、參數(shù)以及實(shí)現(xiàn)方法；同時(shí)討論了在模擬和射頻集成電路設(shè)計(jì)中所采用的仿真模型。本書(shū)避開(kāi)了繁雜的公式推導(dǎo)，而進(jìn)行了更為直接的機(jī)理分析，力求使得讀者從工藝、器件層面理解BSIM-CMG的特點(diǎn)和使用方法。
本書(shū)可以作為微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子信息工程等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生、研究生的專(zhuān)業(yè)教材和教師參考用書(shū)，也可以作為工程師進(jìn)行集成電路仿真的FinFET模型手冊(cè)。
譯者序
原書(shū)前言
第1章FinFET——從器件概念到標(biāo)準(zhǔn)的緊湊模型1
1121世紀(jì)MOSFET短溝道效應(yīng)產(chǎn)生的原因1
12薄體MOSFET理論3
13FinFET和一條新的MOSFET縮放路徑3
14超薄體場(chǎng)效應(yīng)晶體管4
15FinFET緊湊模型——FinFET工藝與集成電路設(shè)計(jì)的橋梁5
16第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)緊湊模型BSIM簡(jiǎn)史6
17核心模型和實(shí)際器件模型7
18符合工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的FinFET緊湊模型9
參考文獻(xiàn)10
第2章基于模擬和射頻應(yīng)用的緊湊模型11
21概述11
22重要的緊湊模型指標(biāo)12
23模擬電路指標(biāo)12
231靜態(tài)工作點(diǎn)12
232幾何尺寸縮放16
233變量模型17
234本征電壓增益19
235速度：?jiǎn)挝辉鲆骖l率24
236噪聲27
237線性度和對(duì)稱性28
238對(duì)稱性35
24射頻電路指標(biāo)36
241二端口參數(shù)36
242速度需求38
243非準(zhǔn)靜態(tài)模型46
244噪聲47
245線性度53
25總結(jié)57
參考文獻(xiàn)57
第3章FinFET核心模型59
31雙柵FinFET的核心模型60
32統(tǒng)一的FinFET緊湊模型67
第3章附錄 詳細(xì)的表面電動(dòng)勢(shì)模型72
3A1連續(xù)啟動(dòng)函數(shù)73
3A2四次修正迭代：實(shí)現(xiàn)和評(píng)估75
參考文獻(xiàn)80
第4章溝道電流和實(shí)際器件效應(yīng)83
41概述83
42閾值電壓滾降83
43亞閾值斜率退化89
44量子力學(xué)中的Vth校正90
45垂直場(chǎng)遷移率退化91
46漏極飽和電壓Vdsat92
461非本征示例（RDSMOD=1和2）92
462本征示例（RDSMOD=0）94
47速度飽和模型97
48量子效應(yīng)98
481有效寬度模型99
482有效氧化層厚度/有效電容101
483電荷質(zhì)心累積計(jì)算101
49橫向非均勻摻雜模型102
410體FinFET的體效應(yīng)模型（BULKMOD=1）102
411輸出電阻模型102
4111溝道長(zhǎng)度調(diào)制103
4112漏致勢(shì)壘降低105
412溝道電流106
參考文獻(xiàn)106
第5章泄漏電流108
51弱反型電流109
52柵致源極泄漏及柵致漏極泄漏110
521BSIM-CMG中的柵致漏極泄漏/柵致源極泄漏公式112
53柵極氧化層隧穿113
531BSIM-CMG中的柵極氧化層隧穿公式113
532在耗盡區(qū)和反型區(qū)中的柵極-體隧穿電流114
533積累中的柵極-體隧穿電流115
534反型中的柵極-溝道隧穿電流117
535柵極-源/漏極隧穿電流118
54碰撞電離119
參考文獻(xiàn)120
第6章電荷、電容和非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)121
61終 端 電荷121
611柵極電荷121
612漏極電荷123
613源極電荷124
62跨容124
63非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)模型126
631弛豫時(shí)間近似模型126
632溝道誘導(dǎo)柵極電阻模型128
633電荷分段模型128
參考文獻(xiàn)132
第7章寄生電阻和電容133
71FinFET器件結(jié)構(gòu)和符號(hào)定義134
72FinFET中與幾何尺寸有關(guān)的源/漏極電阻建模137
721接觸電阻137
722擴(kuò)散電阻139
723擴(kuò)展電阻142
73寄生電阻模型驗(yàn)證143
731TCAD仿真設(shè)置144
732器件優(yōu)化145
733源/漏極電阻提取146
734討論150
74寄生電阻模型的應(yīng)用考慮151
741物理參數(shù)152
742電阻分量152
75柵極電阻模型153
76FinFET 寄生電容模型153
761寄生電容分量之間的聯(lián)系153
762二維邊緣電容的推導(dǎo)154
77三維結(jié)構(gòu)中FinFET邊緣電容建模：CGEOMOD=2160
78寄生電容模型驗(yàn)證161
79總結(jié)165
參考文獻(xiàn)166
第8章噪聲168
81概述168
82熱噪聲168
83閃 爍 噪 聲170
84其他噪聲分量173
85總結(jié)174
參考文獻(xiàn)174
第9章結(jié)二極管I-V和C-V模型175
91結(jié)二極管電流模型176
911反偏附加泄漏模型179
92結(jié)二極管電荷/電容模型181
921反偏模型182
922正偏模型183
參考文獻(xiàn)186
第10章緊湊模型的基準(zhǔn)測(cè)試187
101漸近正確性原理187
102基準(zhǔn)測(cè)試188
1021弱反型區(qū)和強(qiáng)反型區(qū)的物理行為驗(yàn)證188
1022對(duì)稱性測(cè)試191
1023緊湊模型中電容的互易性測(cè)試194
1024自熱效應(yīng)模型測(cè)試194
1025熱噪聲模型測(cè)試196
參考文獻(xiàn)196
第11章BSIM-CMG模型參數(shù)提取197
111參數(shù)提取背景197
112BSIM-CMG模型參數(shù)提取策略198
113總結(jié)206
參考文獻(xiàn)206
第12章溫度特性208
121半導(dǎo)體特性208
1211帶隙問(wèn)題特性208
1212NC、Vbi和ΦB的溫度特性209
1213本征載流子濃度的溫度特性209
122閾值電壓的溫度特性209
1221漏致勢(shì)壘降低的溫度特性210
1222體效應(yīng)的溫度特性210
1223亞閾值擺幅210
123遷移率的溫度特性210
124速度飽和的溫度特性211
1241非飽和效應(yīng)的溫度特性211
125泄漏電流的溫度特性212
1251柵極電流212
1252柵致漏/源極泄漏212
1253碰撞電離212
126寄生源/漏極電阻的溫度特性212
127源/漏極二極管的溫度特性213
1271直接電流模型213
1272電容215
1273陷阱輔助隧穿電流215
128自熱效應(yīng)217
129驗(yàn)證范圍218
1210測(cè)量數(shù)據(jù)的模型驗(yàn)證218
參考文獻(xiàn)220
附錄221
附錄A參數(shù)列表221
A1模型控制器221
A2器件參數(shù)222
A3工藝參數(shù)223
A4基本模型參數(shù)224
A5幾何相關(guān)寄生參數(shù)235
A6溫度相關(guān)性和自熱參數(shù)236
A7變量模型參數(shù)238
書(shū)單推薦
